|
|
|
±èµµ¿¬ ¾¾
|
´Ü±¹´ë ¼®»ç°úÁ¤ ±èµµ¿¬ ¾¾(¿¡³ÊÁö°øÇаú ¿¡³ÊÁö¼ÒÀç 4Çбâ, 26¼¼)°¡ ÃÖ±Ù Àç·á°úÇкоßÀÇ ±¹Á¦Àú¸íÇмúÁö 'Advanced Functional Materials'(IF: 13.325) 2019³â 1¿ù ¿Â¶óÀÎÆÇ¿¡ 1ÀúÀÚ·Î ³í¹®À» °ÔÀçÇØ ÈÁ¦´Ù.
¹ÝµµÃ¼ ³ª³ë ¼ÒÀçÀÇ Æ¯Â¡À» Çâ»ó½ÃÅ°±â À§ÇÑ ¿¬±¸¸¦ ÁøÇàÇÏ¸ç ¿ì¼öÇÑ Çмú ¿ª·®À» ÆîÃÄ¿Â ±è ¾¾´Â ³ª³ë Å×Å©³î·ÎÁö¸¦ È°¿ëÇÑ Ç¥¸éó¸® ¿¬±¸·Î ƯÇ㸦 4°Ç Ãâ¿øÇÑ »óŸç, Áö³ 11¿ù¿¡´Â »ç´Ü¹ýÀÎ Çѱ¹ºÐ¸»¾ß±ÝÇÐȸ¿¡¼ ¼ö¿©Çϴ â¼ºÀÎÀç»óÀ» ¼ö»óÇϱ⵵ Çß´Ù.
±èµµ¿¬ ¾¾°¡ 'Advanced Functional Materials'¿¡ °ÔÀçÇÑ ³í¹® ÁÖÁ¦´Â ‘Improved interface and electrical properties by inserting an ultrathin SiO©ü buffer layers in the Al©üO©ý/Si heterojunction(°í¹Ðµµ ¾ãÀº ÀÌ»êȱԼҸ·À» ÀÌ¿ëÇÑ »êȾ˷ç¹Ì´½/±Ô¼Ò °è¸éÀÇ Àü±âÀû Ư¼º Çâ»ó)’ ÀÌ´Ù.
±âÁ¸ ¹ÝµµÃ¼ ±¸Á¶¿¡¼ ¾ß±âµÇ´Â ´©¼³Àü·ÂÀ» °¨¼Ò½ÃÄÑ ÀüÀÚÁ¦Ç°ÀÇ ±¸µ¿ Àü¾ÐÀ» ³·Ãâ ¼ö ÀÖ´Â ±â¼ú °³¹ß¿¡ °üÇÑ ³»¿ëÀÌ´Ù.
±âÁ¸¿¡ ÁÖ·Î Á¦ÀÛ, »ç¿ëÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ ±¸Á¶´Â Á¦Á¶°øÁ¤ÀÌ ´Ü¼øÇÏ°í °íÁ¤ ´Ü°¡°¡ Àú·ÅÇØ º¸ÆíÀûÀ¸·Î ÀÌ¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
±×·¯³ª ÃÖ±Ù¿¡ ÀüÀÚÁ¦Ç°ÀÇ Å©±â°¡ ÁÙ¾îµé¸é¼ ±âÁ¸ ¹ÝµµÃ¼ ±¸Á¶´Â ´©¼³ Àü·ùÀÇ Áõ°¡¸¦ ¾ß±âÇØ ¼ÒºñÀü·ÂÀ» Áõ°¡½ÃŲ´Ù´Â ¹®Á¦Á¡ÀÌ ´ëµÎµÇ°í ÀÖ´Ù.
±è ¾¾´Â ±âÁ¸ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ ±âÆÇ »çÀÌ¿¡ Áú»êÈȹýÀ» »ç¿ëÇØ ¸Å¿ì ¾ãÀº ÀÌ»êȱԼҸ·À» Àû¿ëÇÏ¸é ´©¼³ Àü·ù¸¦ °¨¼Ò½ÃÅ°°í ±¸µ¿ Àü¾ÐÀ» ³·Ãâ ¼ö ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ¹àÇû´Ù.
ÀÌ ¿¬±¸´Â ¹ÝµµÃ¼°¡ »ç¿ëµÇ´Â ÀüÀÚ±â±â Àü ºÐ¾ß¿¡¼ È°¿ëµÉ ¼ö ÀÖ´Â ¿¬±¸·Î, ±â±âÀÇ ¹èÅ͸® ¼Ò¸ð·®°ú ¼ÒºñÀü·ÂÀ» ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù.
±èµµ¿¬ ¾¾´Â “¹ÝµµÃ¼ ºÎ¹® ¿¬±¸¸¦ Áö¼ÓÇسª°¡±â À§ÇØ ±¸Ã¼ÀûÀÎ Áø·Î¸¦ °èȹÇÏ°í ÀÖ´Ù”¸ç “´ëÇп¡¼ ¼öÇÐÇÏ°í Áöµµ¹ÞÀº °ÍÀ» Åä´ë·Î ¹ÝµµÃ¼ Ư¼º Çâ»ó ¿¬±¸¿¡ ¸ÅÁøÇØ °ü·Ã »ê¾÷ÀÇ ¹ßÀü¿¡ Èû¾²´Â ¿¬±¸ÀÚ°¡ µÉ °Í”À̶ó°í ÀüÇß´Ù.
|